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用語辞典 / 半導体

スケーリング則

すけーりんぐそく

トランジスタの寸法と電圧を同じ割合で縮めれば、速く・省電力になり、面積あたりの発熱は変わらないという設計の法則。

1974年、IBMのデナードらは、MOSトランジスタの長さ・幅・絶縁膜の厚さ・電圧をすべて同じ割合で小さくすると、速さは上がり、1個あたりの消費電力は下がり、チップ全体の発熱密度は一定に保てることを示しました[1]。「小さくすれば全部よくなる」ことの理論的な根拠です。

この法則は2000年代半ばに崩れます。電圧をそれ以上下げると、オフのときに漏れる電流が急に増えるためです。以後、性能を伸ばすには、立体構造のトランジスタや複数のコアなど、別の工夫が必要になりました。

関連する用語

  • MOSトランジスタ金属(電極)・酸化膜・半導体を重ねた構造で、電極にかける電圧だけで電流の通り道を開け閉めするトランジスタ。現在の半導体チップの大半がこれ。
  • CMOS性質が逆の2種類のMOSトランジスタを対にして組む回路方式。切り替わる瞬間にしか電流が流れず、消費電力が極めて小さい。
  • FinFET電流の通り道を魚のひれ(フィン)のように立てて、ゲートで3方向から挟み込む立体構造のトランジスタ。

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