ゲートオールアラウンド

電流の通り道を薄い板(ナノシート)にして何枚か重ね、その周りをゲートで上下左右ぐるりと囲むトランジスタ構造。

FinFETは通り道を3方向から挟みますが、底の1面は開いています。ゲートオールアラウンド(GAA)は、通り道を横に寝かせた薄い板にして積み重ね、それぞれの全周をゲートで包みます。2017年にIBMなどの共同チームが、この積層ナノシート構造でFinFETの先へ縮められることを示しました^[1]。

Samsungが2022年に3ナノメートル世代で、TSMCが2025年に2ナノメートル世代で量産に採用しました。漏れ電流を抑えやすく、板の幅を変えて性能と消費電力を調整できる一方、製造工程はさらに複雑になり、歩留まりを上げるのが難しくなっています。