pn接合

電子が多いn型と、電子の抜け穴(正孔)が多いp型の半導体が接する境目。電流を一方向にしか通さない性質を持つ。

1940年、ベル研究所のオールは、シリコンの棒に光を当てると電圧が生じることに気づき、その原因が結晶の中で不純物の種類が切り替わる境目にあることを突き止めました。これがpn接合で、太陽電池の原理でもあります。

1949年、ショックレーがpn接合で電流がどう流れるかを理論として整理し、それを使ったトランジスタの設計まで示しました^[1]。ダイオード、太陽電池、LED、そしてトランジスタの多くが、この境目の性質の上に成り立っています。